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저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2012년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2012.6
수록면
272 - 275 (4page)

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We have fabricated InP Gunn diodes using our trench method. And their oscillation characteristics have been tested using a W-band waveguide oscillator method. In this paper, we obtained oscillation characteristics under 500 mA operating current. Especially, in the case of anode diameter of 60 ..m, the oscillation output powers of our fabricated InP Gunn diodes for W-band were similar to those of commercialized GaAs Gunn diodes.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험 결과
Ⅳ. 결론
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