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전류제한 에피 구조를 적용하여 MINT에서 개발한 최적화된 공정방법으로 InP Gunn 다이오드 칩을 제작하고 칩을 이용하여 MINT의 최적화된 조건을 이용하여 패키지 하였다. 또한 제작된 패키지 InP Gunn 다이오드의 RF 특성을 측정하기 위하여 2체배 구조의 W-band 도파관 FTO(Fixed Tuned Oscillator)를 설계 및 제작하였다. 패키지된 InP Gunn 다이오드는 ceramic ring, Au plating stud와 lid 그리고 Maltese cross로 구성되어있다. 측정된 20개의 InP Gunn 다이오드는 최대 전류가 399 mA의 전류특성을 가지고 92.9～94.78 GHz에서 발진하였고 11.8～17.8 dBm 의 출력전력을 얻었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 발진기 적용 InP Gunn 다이오드 측정
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (9)
참고문헌 신청
P. A. Rolland / 1979 / Frequency limitation of GaAs transferred-electron devices : Influence of operating d. c. and r. f. field values / Electron. Lett 15:373~374
A. M. Mazzone / 1981 / Transferred-electron oscillators at very high frequencies / Electron Lett 17:539~540
J. D. Crowley / 1994 / 140 GHz indium phosphide Gunn diode / Electronics letters 30(6):499~500
S. H. Jones / 1999 / A 63-170 GHz Second-Harmonic Operation of an InP Transferred Electron Device / Transaction of electron device 46(1)
M. F. Zybura / 1996 / 125-145 GHz stable depletion layer transferred electron oscillators / Solid-state electronics 39(4):547~553
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