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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.7
- 수록면
- 1 - 8 (8page)
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고주파에서 동작하는 높은 출력전력과 dc-rf 변환효율을 가진 GaAs Gunn 다이오드에 대한 기본 연구로써, graded gap injector를 가진 planar 형태의 GaAs Gunn 다이오드를 제작하고 그 DC 특성을 살펴보았다. 제안된 에피 구조를 사용하여 GaAs Gunn 다이오드 소자를 설계, 제작하였으며 이동전자소자인 Gunn 다이오드의 DC 특성이 부성미분저항을 가짐을 확인하였다. 제작된 소자의 부성미분저항 특성을 다이오드의 cathode 반지름의 함수로 고찰하였으며, 이 과정을 통하여 계곡 간 전자이동 특성을 분석하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Gunn 다이오드의 동작 원리
Ⅲ. GaAs Gunn 다이오드의 구조 및 제작
Ⅳ. 측정결과 및 논의
Ⅴ. 결론
참고문헌
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참고문헌 (13)
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1. [학술지(정기간행물)] - / 1961 / The possibility of negative resistance effects in semiconductors
2. [학술지(정기간행물)] - / 1963 / Microwave oscillation of current III-V semiconductors
3. [학술지(정기간행물)] - / 1999 / V-band planar Gunn oscillators and VCOs on AlN substrates using flip-chip bonding technology : 13 ~ 16
4. [학술지(정기간행물)] - / 2000 / 77GHz planar Gunn VCOs on AlN substrates using novel flip-chip InP Gunn diodes : 1205 ~ 1208
5. [학술지(정기간행물)] - / 1996 / Implant isolation scheme for current confinement in graded-gap Gunn diodes 32 : 851 ~
2. [학술지(정기간행물)] - / 1963 / Microwave oscillation of current III-V semiconductors
3. [학술지(정기간행물)] - / 1999 / V-band planar Gunn oscillators and VCOs on AlN substrates using flip-chip bonding technology : 13 ~ 16
4. [학술지(정기간행물)] - / 2000 / 77GHz planar Gunn VCOs on AlN substrates using novel flip-chip InP Gunn diodes : 1205 ~ 1208
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