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학술저널
저자정보
박진성 (삼성전자 반도체부문 기반기술센타) 이우성 (삼성전자 반도체부문 기반기술센타) 심태언 (삼성전자 반도체부문 기반기술센타)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제3권 제1호
발행연도
1993.1
수록면
7 - 11 (5page)

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실리콘 산화막을 $N_2$O 분위기에서 RTP로 제조하여 그 성장 기구를 고찰 했다. 산화막과 기판 실리콘 계면 사이에 질소성분이 포함된 oxynitride층이 존재한다. $N_2$O 기체를 이용한 산화막 성장은 삼화제 확산에 의해 성장이 지배되는 포물선 성장론을 따르고 산화제 확산 억제작용은 실리콘 산화막과 실리콘 기판사이에 존재하는 oxynitride막에서 일어난다. 확산이 산화막 성장을 결정하는 구간에서 포물선 성장율 상수 B의 활성화 에너지는 약 1.5 eV이고 산화막 두께 증가에 따라 증가한다.

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