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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.10
- 수록면
- 1 - 9 (9page)
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본 논문에서는 0.18㎛ CMOS 공정을 이용하여 두 종류의 10Gb/s급 광통신용 전치증폭기(TIA)를 설계, 비교하였다. 전압모드인 Inverter TIA(I-TIA)는 입력단에 inverter 구조를 사용하여 입력 유효 gm 값을 증가시킴으로써 입력저항 값을 줄이고 동시에 대역폭을 늘리는 효과를 얻었다. 0.25pF의 광다이오드 캐패시턴스에 대하여 56㏈Ω의 트랜스임피던스 이득과 14㎓의 대역폭을 얻었고, 10?¹² BER과 9㏈ extinction ratio 및 0.5A/W responsivity를 예상할 경우 -16.5㏈m의 광민감도를 얻었다. 그러나 기생 성분에 의한 대역폭의 감소 및 민감도가 크기 때문에 회로설계 시 패키지 및 회로내의 기생성분 효과에 대한 신중한 고려가 필요하다. 이와 달리, 전류모드인 RGC TIA는 입력단에 regulated cascode 설계기법을 사용하여 광다이오드와 TIA 사이에 생기는 큰 입력 기생 캐패시턴스를 전압모드보다 매우 효과적으로 차단하여 대역폭을 확장하였다. 또한 기생성분에 의한 대역폭 및 트랜스임피던스의 민감도가 현저히 줄어들어 대역폭의 변화가 없다. 0.25pF의 광다이오드 캐패시턴스에 대하여 60㏈Ω의 트랜스임피던스 이득과 10㎓의 대역폭을 얻었고, 10?¹² BER과 9㏈ extinction ratio 및 0.5A/W responsivity를 예상할 경우 -15.7㏈m의 광민감도를 얻는다. 그러나, I-TIA에 비하여 약 4.5배의 높은 전력소모를 보이는 단점이 있다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 10Gb/s 전치증폭기 설계
Ⅲ. 결론
참고문헌
저자소개
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