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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.11
- 수록면
- 223 - 226 (4page)
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In this paper, a 10.3Gbps transimpedance amplifier (TIA) with mutually coupled inductors is presented. The proposed circuit is fabricated in 0.18μm CMOS and it achieves 10.3Gbps operation in the presence of a 0.25pF photo-diode capacitance. The transimpedance gain is 50dBΩ. The ?3dB bandwidth is 5.9GHz, and the group delay dispersion is 10ps over the ?3dB bandwidth. The TIA core circuit consumes 4.23mW under 1.8V supply voltage, and occupies an area of 0.12mm2. Employing a design for small group delay dispersion, the measured TIA demonstrates the mask margin of 43% at 10.3Gbps operation.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. TIA WITH MUTUALLY COUPLED INDUCTORS
III. SIMULATION AND MEASUREMENT RESULTS
IV. CONCLUSION
REFERENCES
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2013-569-001474803