탐침의 첨단과 반도체 시편 나노접접의 교류전류 가열을 통한 나노스케일 열전계수 측정기법 개발

김경태; 장건세; 권오명

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김경태 장건세 권오명

저널정보: 대한기계학회 대한기계학회 논문집 B권 대한기계학회논문집 B권 제30권 제1호

발행연도: 2006.1

수록면: 41 - 47 (7page)

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High resolution dopant profiling in semiconductor devices has been an intense research topic because of its practical importance in semiconductor industry. Although several techniques have already been developed, it still requires very expensive tools to achieve nanometer scale resolution. In this study we demonstrated a novel dopant profiling technique with nanometer resolution using very simple setup. The newly developed technique measures the thermoelectric voltage generated in the contact point of the SPM probe tip and MOSFET surface instead of electrical signals widely adopted in previous techniques like Scanning Capacitance Microscopy. The spatial resolution of our measurement technique is limited by the size of contact size between SPM probe tip and MOSFET surface and is estimated to be about 10 ㎚ in this experiment.

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David Appeal, 2002, “Nanotechnology: Wired for Success," Nature, p. 419, 553.

Li Zhou, Li Chen, Minna Hovinen, Alex Salnick, Michael J. Rendon and Jinhhong shi., 1999, “Use of a New Thermal Wave Technology for Ultra-Shallow Junction Implant Monitoring," IEEE, pp. 578~581

Napolitani, E., Carnera, A., Privitera, V and Priolo, F., 2001, “Ultrashallow Profiling of Semiconductors by Secondary Ion Mass Spectrometry: Methods and Applications," Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 4, pp. 55~60.

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Joseph J. Kopanski, Jay F. Marchiando and Jeremiah R. Lowney, 1997, “Scanning Capacitance Microscopy Applied to Two-Dimensional Dopant Profiling of Semiconductors," Materials Science and Engineering, Vol. 44, pp. 46~51.

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