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저자정보
장건세 (고려대학교) 권오명 (고려대학교)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2004년도 생산 및 설계공학부분 추계 Workshop
발행연도
2004.11
수록면
45 - 52 (8page)

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High resolution dopant profiling in semiconductor device has been an intense research topic because of its practical importance in semiconductor industry. Although several techniques have already been developed. it still requires extremely expensive tools to achieve nanometer scale resolution. In this study we demonstrated a novel dopant profiling technique with nanometer resolution using very simple setup. The newly developed technique measures the thermoelectric voltage generated in the contact point of the SPM probe tip and MOSFET surface instead of electrical signals widely adopted in previous techniques like Scanning Capacitance Microscopy. The spatial resolution of our measurement technique is limited by the size of contact size between SPM probe tip and MOSFET surface. Experiment results were compared with theoretical analysis to estimate the contact size.
#thermoelectric coefficient(열전계수) #MOSFET(모스 전계효과 트랜지스터) #SPM(주사탐침 현미경)

목차

Abstract
1. 서론
2. 측정이론
3. 실험 장치 및 재료
4. 실험 결과 및 분석
5. 결론
후기
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