Quantitative Analysis on Voltage Schemes for Reliable Operations of a Floating Gate Type Double Gate Nonvolatile Memory Cell

Seongjae Cho; Il Han Park; Tae Hun Kim; Jung Hoon Lee; Jong Duk Lee; Hyungcheol Shin; Byung-Gook Park

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자료유형: 학술저널

저자정보: Seongjae Cho Il Han Park Tae Hun Kim Jung Hoon Lee Jong Duk Lee Hyungcheol Shin Byung-Gook Park

저널정보: 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE JOUNAL OF SEMICONDUCTOR THCHNOLOGY AND SCIENCE Vol.5 No.3

발행연도: 2005.9

수록면: 195 - 203 (9page)

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2005

Quantitative Analysis on Voltage Schemes for Reliable Operations of a Floating Gate Type Double Gate Nonvolatile Memory Cell

Seongjae Cho , Il Han Pa , k 외 6명 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 2005.09 학술저널

Quantitative Analyses on Voltage Schemes for Reliable Operations of a Floating Gate Type Double Gate Nonvolatile Memory Cell

Seongjae Cho , Il Han Pa , k 외 6명 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications 2005.07 학술대회자료

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Recently, a novel multi-bit nonvolatile memory based on double gate (DG) MOSFET is proposed to overcome the short channel effects and to increase the memory density. We need more complex voltage schemes for DG MOSFET devices. In view of peripheral circuits driving memory cells, one should consider various voltage sources used for several operations. It is one of the key issues to minimize the number of voltage sources. This criterion needs more caution in considering a DG nonvolatile memory cell that inevitably requires more number of events for voltage sources. Therefore figuring out the permissible range of operating bias should be preceded for reliable operation. We found that reliable operation largely depends on the depletion conditions of the silicon channel according to charge amount stored in the floating gates and the negative control gate voltages applied for read operation. We used Silvaco Atlas, a 2-D numerical simulation tool as the device simulator.

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