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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.7
- 수록면
- 522 - 523 (2page)
이용수
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In this paper, nonvolatile memory devices on glass substrate were fabricated for systems on panels of flat panel displays. Low temperature polycrystalline silicon thin film transistor technology and an oxide-nitride-oxynitride stack structure were used for nonvolatile memory devices on glass substrate. For tunneling layer of nonvolatile memory device, plasma-assisted oxynitridation using nitrous oxide was carried out. Nonvolatile memory devices have excellent TFT electrical properties, such as a high On/Off curr ... 전체 초록 보기
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