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한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 한국진공학회 제14회 학술발표회논문개요집
발행연도
1998.2
수록면
105 - 106 (2page)

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Evaluation of defects by etch-pit formation was studied. A NaOH(30 ㏖%) etchant was found useful for etch-pit development on ZnSe-based epilayers grown on (001) GaAs. And, a H₃PO₄(85 ㏖%) was used in order to develop etch-pits on GaN-based epilayers grown on (0001) Al₂O₃. After etch-pit formation on the surface, Transmission Electron Microscopy(TEM) was conducted. By etch-pit development and TEM observation, we could determine the defect types by etch-pit configurations and found origin of etch-pit in the case of ZnSe-ba ... 전체 초록 보기

목차

Abstract

1. Introduction

2. Experimental

3. Results and Discussion

4. Conclusions

References

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-554-018027861