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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.2
- 수록면
- 9 - 14 (6page)
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본 논문에서는bulk dynamic threshold voltage MOSFET(B-DTMOS)와 bulk MOSFET(B-MOS)에서 hot carrier 현상으로 인한 RF 성능 저하를 비교하였다. Normal 및 moderate 모드에서 B-DTMOS의 차단주파수 및 최소잡음지수의 열화가 B-MOS 소자 보다 심하지 않음을 알 수 있었다. 실험 결과로부터 hot carrier에 의한 RF 성능 저하가 DC 특성 열화 보다 심함을 알 수 있었다. 그리고 처음으로 hot carrier 현상으로 인한 B-DTMOS 소자의 RF 전력 특성 저하를 측정하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작 및 측정
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (16)
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[학술지(정기간행물)] - F. Assaderaghi / 1994. / Tech. of Digest IEDM age operation : 809 ~ 813
[학술지(정기간행물)] - A.Yagishita / 2000. / Dynamic Threshold Voltage Damascene Metal Gate MOSFET (DT-DMG-MOS) with Low Threshold Voltage, High Drive Current, and Uniform Electrical Characteristics : 663 ~ 667
[학술지(정기간행물)] - Y. Momiyama / 2000. / A 140GHz fT and 60 GHz fmax DTMOS Integrated with High -Performance SOI Logic Technology : 451 ~ 453
[학술지(정기간행물)] - and Y.K.Seng / 1997. / Experimentally -Based Analytical Model of Deep-Submicron LDD pMOSFET's in a Bi-MOS Hybrid-Mode Environment 44 (9) : 1473 ~ 1482
[학술지(정기간행물)] - R. Hung / 1998. / Analytical Model for the Collector Current in SOI Gated-Controlled Hybrid Transistor 39 (12) : 1816 ~ 1818
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