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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.11
- 수록면
- 29 - 34 (6page)
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본 논문에서는 molecular beam epitaxy (MBE)로 성장한 AlGaN/InGaN/GaN high electron-mobility transistors (HEMTs)의 선형성과 RF dispersion 특성을 조사하였다. 전극 길이가 0.5μm인 AlGaN/InGaN/GaN HEMTs는 최대 전류 밀도가 730 mA/mm, 최대 전달정수가 l56 mS/mm인 비교적 우수한 DC 특성과 함께, 기존의 AlGaN/GaN HEMT 와는 달리 높은 게이트 전압에도 완만한 전류 전달 특성을 보여 선형성이 우수함을 나타내었다. 또한 여러 다른 온도에서 측정한 펄스 전류 특성에서 소자 표면에 존재하는 트랩에 의한 전류 와해 (current collapse) 현상이 발생되지 않음을 확인하였다. 이 연구 결과는 InGaN를 채널층으로 하는 GaN HEMT 의 경우 선형성이 우수하고, 고전압 RF 동작조건에서 출력저하가 발생하지 않는 고출력 소자를 제작할 수 있음을 보여준다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Epitaxial Layer Structure and Device Processing
Ⅲ. Linearity Characteristics of InGaN HEMTs
Ⅳ. RF Dispersion Characteristics of InGaN HEMTs
Ⅴ. Conclusions
References
저자소개
참고문헌 (16)
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[학술지(정기간행물)] - L. F. Eastman, / Mar.2001 / Undoped AlGaN /GaN HEMTs for microwave power amplifica -tion 48 (3) : 479485 ~
[학술지(정기간행물)] - N. Q. Zhang, / Sept.2000 / High break -down GaN HEMT with overlapping gate struc -ture 21 : 421423 ~
[학술지(정기간행물)] - A. Chini, / 2003. / 2.1 A/mm current density AlGaN/GaN HEMT 39 ( 7) : 625626 ~
[학술지(정기간행물)] - R. S. Schwindt / Mar.2003 / Millimeter-wave high-power 0.25-m gate-length AlGaN/GaN HEMTs on SiC subst -rates 13 (3) : 9395 ~
[학술지(정기간행물)] - J. Kuzmik / Nov.2001 / Power electronics on InAlN/(In)GaN: Prospect for a record performance 22 (11) : 510512 ~
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