메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-IE 전자공학회논문지 TE편 제41권 제3호
발행연도
2004.9
수록면
1 - 7 (7page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
Ta₂O5 박막은 AM-LCD (active matrix liquld crystal display) 와 미래의 DRAM (dynamic access memory) 의 스위칭 소자에 적용을 위한 중요한 물질이다. 본 논문에서는 고품질 Ta₂O5 박막을 양극산화법 (anodizing method) 을 사용하여 제작하였고, 얻어진 Ta₂O5 박막을 RBS (rutherford backscattering spectroscopy) 와 XRD (X-ray dlffract1on) 로 분석하였다 . 다양 한 상위 전극을 사용한 TFD (thin film diode) 소자의 선기적, 기계적 특성을 장벽높이와 AES (auger elec[ron slfCtroscopy) depth profile 을 이용하여 조사하였다. 상위 전극 물질에 따라 TFD 의 I-C 특성이 약간의 차이를 보였다 I-V 차이의 주된 원 인은 상위 전극과 하위 전극 간에 장벽 높이의 차이 때문이었고, 또한 상위 전극과 절연층 사이의 계변에서 화학적 결합이 주요 원인이었다. I-V 특성 곡선의 온도 의존성으로부터 얻어진 장벽 높이는 Al, Ti, Ta 일 때 각각 0.7795, 1.0287, 0.9258 eV 이었다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Experiments

Ⅲ. Results and Discussions

Ⅳ. Conclusion

References

저자소개

참고문헌 (3)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-014281579