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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
최재훈 (홍익대학교 공과대학 신소재공학과) 오태성 (홍익대학교 공과대학 신소재공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제11권 제12호
발행연도
2001.1
수록면
1,080 - 1,085 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2001

반응성 스퍼터링으로 제조한 ${Ta_2}{O_5}/{Al_2}{O_3}$ 다충박막의 유전특성
최재훈 ,  오태성 한국재료학회지 2001.01 학술저널

2000

반응성 스퍼터링 조건에 따른$ Al_2O_3$박막의 유전특성 및 누설전류 특성
최재훈 ,  박주동 ,  오태성 한국재료학회 학술발표대회 2000.01 학술대회자료

초록· 키워드

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Dielectric properties and leakage current characteristics of 100 nm-thick $Ta_2O_5/Al_2O_3$multilayer thin films, which were fabricated by reactive sputtering of$Al_2O_3$and$Ta_2O_5$ successively on top of each other for total 9 layers, have been investigated with variation of the$Al_2O_3$content$(i.e,\;Ta_2O_5/Al_2O_3 \;thickness\;ratio)$.$Ta_2O_5/Al_2O_3$films were amorphous regardless of the$Al_2O_3$content. With increasing the$Al_2O_3$content from 0% to 100%, refractive index of the $Ta_2O_5/Al_2O_3$films decreased linearly from 2.03 to 1.56 and dielectric constant was lowered from 23.9 to 7.7 Variation of the dielectric constant with the$Al_2O_3$content was in good agreement with the behavior that was obtained by assuming parallel capacitors of$Al_2O_3$and Ta_2O_5$. Leakage current characteristics of $Ta_2O_5/Al_2O_3$ multilayer films were superior to those of $Ta_2O_5$ and$Al_2O_3$films. $Ta_2O_5/Al_2O_3$ films of 5% and 10%$Al_2O_3$content exhibited excellent leakage current densities which were lower than $10^{-7} A/cm^2$ at 1MV/cm.
#${Ta_2}{O_5}/{Al_2}{O_3}$ #multilayer #dielectric properties #leakage current

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