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학술저널
저자정보
강영섭 (한국항공대학교 전자.정보통신.컴퓨터공학부) 서현상 (한국항공대학교 전자.정보통신.컴퓨터공학부) 노영진 (한국항공대학교 전자.정보통신.컴퓨터공학부) 이충근 (한국항공대학교 전자.정보통신.컴퓨터공학부) 홍신남 (한국항공대학교 전자.정보통신.컴퓨터공학부)
저널정보
한국항행학회 한국항행학회논문지 한국항행학회논문지 제7권 제2호
발행연도
2003.1
수록면
211 - 216 (6page)

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본 논문에서는 오래 전부터 NMOS의 게이트 전극으로 사용된 폴리실리콘을 대체할 수 있는 Ta-Ti 합금의 특성에 대해 연구하였다. 실리콘 기판 위에 열적으로 성장된 $SiO_2$ 위에 Ta과 Ti의 두 타깃을 사용하여 co-sputterring 방법으로 Ta-Ti 합금을 증착하였다. 각각의 타깃은 100W의 sputtering power로 증착하여 시편을 제작하였다. 또한 비교 분석을 위하여 Ta을 100W의 sputtering power로 증착한 시편도 제작하였다. 제작된 Ta-Ti 합금 게이트의 열적/화학적 안정성을 검토하기 위하여 $600^{\circ}C$에서 급속열처리를 수행한 결과 소자의 성능 저하는 나타나지 않았다. 또한 전기적 특성 분석 결과 Ta-Ti 합금은 NMOS에 적합한 일함수인 4.13eV를 산출해 낼 수 있었고, 면저항 역시 폴리실리콘에 비해 낮은 값을 얻을 수 있었다.
#metal gate #co-sputter #workfunction #NMOS

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