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대한전자공학회 전자공학회논문지-IE 전자공학회논문지 TE편 제40권 제3호
발행연도
2003.9
수록면
1 - 7 (7page)

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본 논문에서는 실험적으로 연구되어온 다양한 전극 금속을 이용한 양극산화에 의한 고품질의 Ta₂O₃ 박막을 사용하였다. Ta₂O₃ 박막의 구조 특성과 금속과 Ta₂O₃의 접촉 전류-전압(I-V) 특성을 측정하였다. 플라스틱 기판을 사용한 MIM 소자는 적은 누설전류 특성(10^(-6) A/㎠ at 1MV/cm)과 적정한 항복전압(4-7 MV/cm)을 나타내었다. 전류-전압(I-V) 특성곡선의 변화와 플라스틱 기판에서의 MIM 소자의 도전구조는 전기적 측정 결과와 누설전류 도전구조에 기반을 두고 분석되었다. 소자의 측정된 전기적, 구조적 특성은 저온 양극산화에 의한 Ta₂O₃박막이 정보 디스플레이 평판소자에 적용 가능하다는 것으로 잘 나타내고 있다. 따라서 플라스틱 기반의 전자소자는 우수한 성능을 가지고 있고 차세대 전자제품에 대체 재료로 사용될 것으로 기대된다.

목차

Ⅰ. INTRODUCTION

Ⅱ. EXPERIMENTS

Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION

Ⅳ. CONCLUSIONS

REFERENCES

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