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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2002.10
- 수록면
- 1,406 - 1,418 (13page)
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The direct simulation Monte Carlo(DSMC) method is employed to calculate the etch rate on Al wafer. The etchant is assumed to be Cl₂. The etching process of an Al wafer in a helicon plasma etcher is examined by simulating molecular collisions of reactant and product. The flow field inside a plasma etch reactor is also simulated by the DSMC method for a chlorine feed gas flow. The surface reaction on the Al wafer is simply modelled by one-step reaction: 3Cl₂+2Al → 2AICl₃. The gas flow inside the reactor is compared for six different nozzle locations. It is found that the flow field inside the reactor is affected by the nozzle locations. The Cl₂ number density on the wafer decreases as the nozzle location moves toward the side of the reactor. Also, the present numerical results show that the nozzle location 1, which is at the top of the reactor chamber, produces a higher etch rate.
목차
Abstract
1.서론
2.수치해석방법
3.결과 및 고찰
4.결론
후기
참고문헌
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