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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
대한기계학회 Journal of Mechanical Science and Technology Journal of Mechanical Science and Technology Vol.19 No.1
발행연도
2005.1
수록면
181 - 188 (8page)

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The direct simulation Monte Carlo method is employed to predict the etch rate distribution on Al wafer for a chlorine feed gas flow. The etching process of an Al wafer in a plasma etch reactor is examined by simulating molecular collisions of reactant and product. The surface reaetion on the Al wafer is simply modelled by one-step reaction: 3Ch₂+2AI → 2AICh₃. The gas flow inside the reactor is compared for six different nozzle locations. The present numerical results show that the etch rate increases with the mass flow rate of source gas Ch₂. It is also shown that the flow field inside the reactor is significantly affected by the nozzle locations.

목차

Abstract

1. Introduction

2. Numerical Simulations

3. Results and Discussion

4. Conclusions

Acknowledgment

References

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-550-014541444