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Gate Oxide Thickness- and Channel Length-Dependent Subthreshold Swing Characteristics for Double-gate MOSFETs
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2011 .06
0.15μm Gate Length nMOSFETs with Indium Implanted Channel
KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING
1996 .01
10 nm 이하 무접합 원통형 MOSFET의 온-오프전압ΔVon-off에 대한 분석
전기전자학회논문지
2019 .03
Analysis of Subthreshold Swings Based on Scaling Theory for Double Gate MOSFET
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2012 .06
긴 채널 NMOSFET에 대한 통합 전류-전압 ( A Unified Current-Voltage Model for Long Channel NMOSFET's )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
대칭/비대칭 double 게이트를 갖는 SOI MOSFET에서 subthreshold 누설 전류 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .07
Characteristics of 0.1μm nMOSFETs with Different Channel Doping and Gate Oxide Thickness
KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING
1996 .01
Metal Plasma-Etching Damages of NMOSFETs with Pure and N₂O Gate Oxides
한국정보통신학회논문지
1999 .06
CMOS Logic Circuits with Lower Subthreshold Leakage Current
전기학회논문지 C
2004 .10
Gate-Length Biasing for Low Leakage Design
대한전자공학회 ISOCC
2007 .10
Asymmetric Double-Gate MOSFET의 Subthreshold 특성 분석
전자공학회논문지-SD
2003 .06
δ - 도핑 NMOSFET 채널 내에서의 양자화 효과
대한전자공학회 학술대회
2001 .06
LDD-nMOSFET의 핫 캐리어 열화 억제를 위한 표면 이온주입 효과에 대한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .11
Dielectric Degradation and Breakdown of High-k/Metal Gate Stack nMOSFETs
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
Subthreshold Swing Including Tunneling of Sub-20 ㎚ Asymmetric Double Gate MOSFET
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2016 .06
NMOSFET에서 핫-캐리어 내성의 소자 개발
대한전자공학회 학술대회
2002 .06
Conduction Path Dependent Subthreshold Swing of Asymmetric Double Gate MOSFET
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2014 .06
낮은 에너지의 As₂^(+) 이온 주입을 이용한 얕은 n^(+)-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작 ( 70nm NMOSFET Fabrication with Ultra-shallow n+-p Junctions Using Low Energy As₂^(+) Implantations )
전자공학회논문지-SD
2001 .02
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