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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 한국정보통신학회 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING Vo.6 No.1
- 발행연도
- 2014.6
- 수록면
- 303 - 306 (4page)
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The subthreshold swing and conduction path of asymmetric double gate(DG) MOSFET has been analyzed for channel thickness with a parameter of oxide thickness using Gaussian doping profiles in channel. The two dimensional analytical potential profile model of asymmetric DGMOSFET based on a summation of series has been used to derive the analytical subthreshold swing model. As a result to observe the relation of subthreshold swing and conduction path using this model, subthreshold swing depends on conduction path to change for top and bottom gate oxide thickness with channel length and thickness. We know the conduction path moves into gate contact biased with higher voltage, and subthreshold swing is greatly increased with movement of conduction path into bottom gate contact in the case of higher bottom gate voltage.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. THE ANALYTICAL SUBTHRESHOLD SWING MODEL FOR ASYMMETRIC DOUBLE GATE MOSFET
III. RESULTS AND DISCUSSION FOR MOVEMENT OF SUBTHRESHOLD SWING OF ASYMMETRIC DOUBLE GATE MOSFET
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2018-004-000962617