지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.25 No.1
- 발행연도
- 2025.2
- 수록면
- 9 - 13 (5page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2025.25.1.9
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
As the demand for advanced memory technologies grows, the development of next-generation memory devices is required. One promising candidate is resistive random access memory (RRAM), which is advantageous for high-density integration in three-dimensional vertical crossbar array architectures due to its simple metal-insulator-metal structure [1]. In this study, we fabricated an RRAM device and analyzed the characteristics of the HfOx insulating layer when it possesses a nanoporous structure. The HfOx insulating layer was deposited to induce the nanoporous structure by RF sputtering. When the HfOx insulating layer has a nanoporous structure, the device exhibits a minimum current existing at a specific voltage and rectifying properties. These characteristics result from the migration of oxygen vacancies and the presence of oxygen ions in the pores. Depending on the applied voltage magnitude, the internal electric field created by the negatively charged oxygen ions in the pores shifts the voltage point of the minimum current. In addition, the Schottky-like barrier modulation induced by migration of oxygen vacancies leads to a non-linear I-V switching behavior. The resistive switching mechanism observed in the nanoporous insulating layer plays a crucial role in enhancing the device’s performance. These findings provide valuable insights into understanding the electrical characteristics of other RRAM devices with similar structures.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE FABRICATION
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Post-annealing effect on the Reliability of HfOx-based RRAM
한국신뢰성학회 학술대회논문집
2016 .11
-
Forming-free and non-linear resistive switching in bilayer HfOx/TaOx memory devices by interface-induced internal resistance
Electronic Materials Letters
2024 .07
-
Structural Effects on Unipolar Resistive Switching Behaviors in Oxide-Based RRAM for High-Density and Low-Power Applicaions
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2015 .06
-
High energy efficient nanoporous membrane system by controlling ion concentration polarization layer
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2015 .10
-
Y2O3 기반 RRAM 소자의 열처리 효과
대한전자공학회 학술대회
2024 .11
-
Nitride-Based RRAM Devices for Various Applications
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2015 .06
-
이중층 그래핀을 도입한 ZnO/Al₂O₃ 기반 RRAM의 특성 연구
대한전자공학회 학술대회
2021 .11
-
pH-Dependent Behavior of Layer-by-Layer Deposition in Nanoporous Polymeric Membranes
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2017 .04
-
A Study on the Multi-level RRAM behavior of TaOx and TiOx devices
한국통신학회 학술대회논문집
2021 .02
-
저항 변화 메모리 소재의 저항 네트워크 회로 모델 및 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
2021 .11
-
PMMA-HfOx 유-무기 하이브리드 저항변화 메모리 제작
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
산소 플라즈마 처리에 의한 RRAM 필라멘트 형성 과정 개선
대한전자공학회 학술대회
2022 .06
-
Performance Enhancement of Polymer Electrolyte Membrane Fuel Cell in Dry Operation via Carbon Nanotube-based Nanoporous Layer
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2021 .11
-
Enhanced Current-voltage Nonlinearity by Controlling Oxygen Concentration of TiOx Buffer Layer for RRAM Passive Crossbar Array
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2022 .12
-
“Bottom Up” Self-Assembly Approaches to Nanoporous Ion Transporting Polymer Membranes
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2016 .10
-
Nanoporous Polymeric Membranes Constructed from Combination of Block Copolymer and Layer-by-Layer Assemblies
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2016 .10
-
3비트 멀티레벨 자가 정류 RRAM 물리 기반 컴팩트 모델
대한전자공학회 학술대회
2024 .06
-
Control of ion transport in sulfonated nanoporous membranes
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2017 .04
-
Fabrication of Nanoporous Polyimide Particles
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2015 .10
-
대용량 메모리 어레이 시뮬레이션을 위한 양극성 저항 변화 메모리 회로 모델링
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-151-25-02-092293956