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In semiconductor memory device manufacturing, the capability for high aspect ratio contact (HARC) etching determines the density of memory device. Given that there is no standardized definition of "high" in high aspect ratio, it is crucial to continuously monitor recent technology trends to address technological gaps. Not only semiconductor memory manufacturing companies such as Samsung Electronics, SK Hynix, and Micron but also semiconductor manufacturing equipment companies such as Lam Research, Applied Materials, Tokyo Electron, and SEMES release annual reports on HARC etching technology. Although there is a gap in technological focus between semiconductor mass production environments and various research institutes, the results from these institutes significantly contribute by demonstrating fundamental mechanisms with empirical evidence, often in collaboration with industry researchers. This paper reviews recent studies on HARC etching and the study of dielectric etching in various technologies.
목차
Abstract
1. 서론
2. HARC 식각 구조구현을 위한 mask에 관한 요인에 관한 연구
3. 신규 식각 물질을 이용한 HARC 식각
4. 차세대 HARC 식각 구현을 위한 차세대 공정방법에 관한 연구 동향
5. 결론
References
참고문헌 (44)
참고문헌 신청
T. Ohiwa, A. Kojima, M. Sekine, I. Sakai, S. Yonemoto, Y. Watanabe, Mechanism of etch stop in high aspect-ratio contact hole etching, Japanese Journal of Applied Physics, 37 (1998) 5060-5063.
J.W. Coburn, H.F. Winters, Plasma etching-a discussion of mechanisms, Journal of Vacuum Science & Technology, 16 (1979) 391-403.
A. Sankaran, M.J. Kushner, Etching of porous and solid SiO2 in Ar/c-C4F8, O2/c-C4F8 and Ar/O2/c-C4F8 plasmas, Journal of Applied Physics, 97 (2005) 023307.
Y.H. Kim, J.S. Kim, D.C. Kim, Y.W. Kim, J.B. Park, D.S. Han, M.Y. Song, Ion and radical characteristics (mass/energy distribution) of a capacitively coupled plasma source using plasma process gases (CxFy), Coatings, 11 (2021) 993.
N. Hiwasa, J. Kataoka, N. Sasao, S. Kuboi, D. Iino, K. Kurihara, H. Fukumizu, Analysis of formation mechanism of deposited film in a high-aspect-ratio hole during dry etching using fluorocarbon gas plasmas, Applied Physics Express, 15 (2022) 106002.
J.W. Coburn, H.F. Winters, Plasma etching-a discussion of mechanisms, Journal of Vacuum Science & Technology, 16 (1979) 391-403.
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