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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학위논문
- 저자정보
- 지도교수
- 이호준
- 발행연도
- 2023
- 저작권
- 부산대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
이용수9
이 논문의 연구 히스토리 (3)
2023
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유도 결합 플라즈마는 반도체 제조 공정에 많이 사용된다. 반도체가 미세화 및 3차원화 될수록 플라즈마를 이용한 에칭의 중요성이 커지고 있다. 본 연구에서는 건식 식각에 주로 사용되는 가스인 CF4를 첨가하여 에칭 동역학에 영향을 끼치는 플라즈마 특성과 라디칼을 분석하였다. 이온화 효율을 돕기 위해 Ar을 첨가하고, Carbon 제거를 위해 O2을 첨가하여 비율을 변화시켜 보았다. Ar이 전자 밀도에 가장 큰 영향을 끼치는 인자로 확인하였고, CF4가 그다음으로 영향을 끼친다. CF4의 비율에 따라 화학적 에칭에 사용되는 F 라디칼 밀도가 증가하며, O2가 추가됨에 따라서 C 라디칼과 함께 줄어드는 양상이 나타난다.
목차
I. 서론 1Ⅱ. 배경적 지식 21. 플라즈마 22. 유도결합 플라즈마 43. Collision reaction 7가. Elastic collision 8나. Inelastic collision 114. 항기호 13Ⅲ. 본론 141. 구조 및 시뮬레이션 방법 14가. 유도결합 플라즈마 챔버 구조 14나. 시뮬레이션에 사용된 반응식 16다. 시뮬레이션 계산식 232. 시뮬레이션 결과 28가. Ar/CF4 혼합가스 유도결합플라즈마 특성 분석 28나. Ar/CF4/O2 유도 결합 플라즈마 특성 36Ⅳ. 결론 49Ⅴ. 참고문헌 50
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