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β -Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Near-Zero Turn-on Voltage and Breakdown Voltage over 3.6 kV
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2024 .06
Flexible and Sub-1V Field-Effect Schottky Barrier Transistors
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2015 .10
단결정 β-Ga₂O₃ 반도체를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작
전자공학회논문지
2017 .01
High Breakdown Voltage and Low On-resistance 4H-SiC UMOSFET with a Source-trench Oxide Structure
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .06
Temperature Dependent Current Transport Mechanism in Graphene/Germanium Schottky Barrier Diode
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2015 .02
Analysis of Electrical Characteristics According to Fabrication of 500 V Unified Trench Gate Power MOSFET
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2016 .01
1200V급 4H-SiC Trench MOSFET의 Design parameter에 따른 전기적 특성 분석
전기전자학회논문지
2020 .06
4H-SiC Trench MOSFET 응용을 위한 Ar Reshape 공정 최적화
전기전자학회논문지
2018 .12
저전계 이동도 모델을 이용한 P형 다이아몬드 쇼트키 장벽 다이오드의 순방향 전류-전압 특성
전기학회논문지
2019 .02
Schottky barrier-gated high performance photodetector via an environmentally benign fabrication process
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2016 .10
프로톤 조사에 따른 실리콘 다이오드에서의 쇼트키 장벽 높이 추정: GaN 쇼트키 다이오드의 조사 데이터 사용
대한전자공학회 학술대회
2024 .06
대향 타겟 스퍼터링법으로 제작한 SiC SBD의 전기적 특성
반도체디스플레이기술학회지
2015 .01
Optimization of annealing capping layer thickness of vertical β-Ga₂O3₃ Schottky barrier diodes for high-temperature oxygen annealing process
대한전자공학회 학술대회
2024 .06
1.2 kV 급 SiC Trench MOSFET의 게이트 산화막에서의 전계 집중 현상 억제를 위한 설계
전기학회논문지
2022 .11
Polyelectrolyte-gated Vertical Schottky-Barrier Transistors
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2017 .04
Schottky Diode를 위한 적층 접합 기반 복합 2차원 소재 개발
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2019 .05
ε-Ga2O3 박막의 성장과 상전이를 이용한 고품질 β-Ga2O3 박막의 제조
한국결정성장학회지
2021 .01
낮은 순방향 전압 강하를 갖는 4H-SiC Trench-type Accumulation Super Barrier Rectifier(TASBR)
전기전자학회논문지
2017 .03
TO-247로 패키징 된 쇼트키 베리어 다이오드의 단자 강도 시험의 유한 요소 해석
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2021 .12
600 V급 IGBT Single N+ Emitter Trench Gate 구조에 따른 전기적 특성
전기전자재료학회논문지
2019 .01
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