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한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 한국전자통신학회 논문지 제14권 제5호
발행연도
2019.1
수록면
877 - 886 (10page)

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본 연구에서는 band anticrossing 모델을 사용하여 온도와 조성비 변화에 따른 4원계 질화물계 화합물 반도체 InyGa1-yAs1-xNx의 에너지 밴드갭과 광학상수를 계산하였다. 300K의 조성비 구간(0≤x≤0.05, 0≤y≤1.0)에서 에너지 밴드갭들이 연속적으로 감소하며, 계산된 휨 매개변수는 0.522eV가 사용되었다. 에너지 밴드갭 계산 결과는 다른 연구 결과와 대체로 잘 일치하였다. 또한 에너지 밴드갭 결과를 새롭게 제안한 모델식에 적용하여 굴절률 n과 고주파 유전상수 ε를 계산하였다.
#InyGa1-yAs1-xNx #energy band gap #refractive index #bowing parameter #disorder effect

목차

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참고문헌 (23)

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Y. Kuo / 2004 / Effect of band-offset ratio on analysis of violet-blue InGaN laser characteristics / Opt. Commun. 231(1-6):395~402 google schola 윤병우 / 2015 / 수공냉 대류방식을 이용한 1.2kW급 LED 조명등 개발 / 한국전자통신학회 논문지 10(5):615~622 dbpia C. Tan / 2013 / First-principle electronic properties of dilute-As GaNAs alloy for visible light emitters / J. Display Technol 9(4):272~279 google schola B. Liou / 2007 / Electronic and structural properties of zincblende / Optics Commun 274(2):361~365 google schola J. Ibáñez / 2010 / Structural and optical properties of dilute InAsN grown by molecular beam epitaxy / J. of Appl. Phys 108(10):103504-1~103504-8 google schola

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