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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제19권 제1호
- 발행연도
- 2018.2
- 수록면
- 69 - 73 (5page)
- DOI
- https://doi.org/10.1007/s42341-018-0002-3
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Intrinsic hydrogenated amorphous silicon (i-a-Si:H) fi lms were successfully grown on commercial glass substrate by plasmaenhanced chemical vapor deposition (PECVD), using various hydrogen dilutions (R = H 2 /SiH 4 ). Deposition was carried outat a substrate temperature of 270 °C, using radiofrequency power of 5 W, and chamber pressure of 2 Torr. The decreasingrate of deposition reduced defects in thin fi lm, attributed to the decreased Urbach energy. The reduced particle size led toincreased energy bandgap, inducing shift in transmittance to shorter wavelength (blue shift).
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