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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.6
- 수록면
- 345 - 348 (4page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.6.345
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본 연구에서는 p-pillar 영역의 두께와 농도에 따른 4H-SiC 기반 균일 초접합 Accumulation MOSFET 소자 구조의 최적화를 진행했다. Sj-ACCUFET 구조는 이차원 시뮬레이터를 사용하여 설계하였다. p-pillar 영역의 도핑 농도는 1×1015 cm-3 ∼ 5×1016 cm-3, 두께는 0 μm ∼ 9 μm 로 변화를 주었으며, 항복전압, 온저항 그리고 발리가 성능지수를 이용하여 SJ-ACCUFET의 동작 특성을 평가했다. p-pillar 영역의 도핑 농도와 두께는 항복전압, 온저항 그리고 문턱 전압에 영향 끼침을 확인 할 수 있다. 따라서, p-pillar 영역의 농도와 두께 변화를 통해 높은 발리가 성능지수를 가진 SJ-ACCUFET을 설계하였다.
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Z. D. Sha / 2007 / Phys. Lett., A 355:215
Ji-Hong Kim / 2010 / Structural and optical properties of epitaxial ZnO thin films on 4H–SiC (0001) substrates prepared by pulsed laser deposition / Journal of Alloys and Compounds 489(1):179~182
C. Codreanu / 2000 / Comparison of 3C–SiC, 6H–SiC and 4H–SiC MESFETs performances / Materials Science in Semiconductor Processing 3(1-2):137~142
B. J. Baliga / 2005 / Silicon Carbide Power Devices / World Scientific
P.M. Shenoy / 1997 / The planar 6H-SiC ACCUFET: a new high-voltage power MOSFET structure / IEEE Electron Device Letters 18(12):589~591
Ji-Hong Kim / 2010 / Structural and optical properties of epitaxial ZnO thin films on 4H–SiC (0001) substrates prepared by pulsed laser deposition / Journal of Alloys and Compounds 489(1):179~182
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B. J. Baliga / 2005 / Silicon Carbide Power Devices / World Scientific
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