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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.6
- 수록면
- 181 - 183 (3page)
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탄화규소(Silicon Carbide) 기반의 1200 V급 Merged Pin Schottky(MPS) 다이오드의 구조를 2D-atlas simulation tool을 사용하여 최적화 및 설계하였다. 최적화된 항복전압과 온-저항 값을 얻기 위해 본 소자에서 중요한 파라미터인 P-Grid의 도핑농도와 에피층의 도핑농도를 각각 2~10×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>, 2~10×10<sup>16</sup>cm<sup>-3</ ... 전체 초록 보기
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[학술지(정기간행물)] - Kimimori Hamada / 2015 / SiC-Emerging Power Device Technology for Next-Generation Electrically Powered Environmentally Friendly Vehicles / IEEE Transactions on Electron 62 (2) : 278 ~ 285
[학술대회논문] - T. Takaku / 2015 / Development of 1700V Hybrid Module with Si-IGBT and SiC-SBD for High Efficiency / 2015 9th International Conference on Power Electronics and ECCE Asia (ICPE-ECCE Asia) : 844 ~ 849
[학술지(정기간행물)] - Lin Zhu / 2006 / Design, fabrication, and characterization of low forward drop, low leakage, 1-kV 4H-SiC JBS rectifiers / IEEE Transactions on Electron 53 (2) : 363 ~ 368
[학술대회논문] - Mihai Draghici / 2014 / A New 1200 V SiC MPS Diode with Improved Performance and Ruggedness / Silicon Carbide and Related Materials 2014 on Ma terials Science Forum : 608 ~ 611
[학술대회논문] - T. Takaku / 2015 / Development of 1700V Hybrid Module with Si-IGBT and SiC-SBD for High Efficiency / 2015 9th International Conference on Power Electronics and ECCE Asia (ICPE-ECCE Asia) : 844 ~ 849
[학술지(정기간행물)] - Lin Zhu / 2006 / Design, fabrication, and characterization of low forward drop, low leakage, 1-kV 4H-SiC JBS rectifiers / IEEE Transactions on Electron 53 (2) : 363 ~ 368
[학술대회논문] - Mihai Draghici / 2014 / A New 1200 V SiC MPS Diode with Improved Performance and Ruggedness / Silicon Carbide and Related Materials 2014 on Ma terials Science Forum : 608 ~ 611
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