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정장한 (단국대학교) 권상욱 (단국대학교) 공준호 (단국대학교) 구용서 (단국대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2021.11
수록면
264 - 266 (3page)

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In this paper, the change of breakdown voltage according to the change of P-base concentration in 4H-SiC planar MOSFET was studied. The lower the P-base concentration, the wider the depletion layer is formed and the higher the breakdown vol ... 전체 초록 보기

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김유림 ,  박찬영 ,  강이구 대한전기학회 학술대회 논문집 2022 .07
4H-SiC Trench MOSFET 응용을 위한 Ar Reshape 공정 최적화
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