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학술저널
저자정보
김슬기 (한국세라믹기술원) 정은영 (경북대학교) 이명현 (한국세라믹기술원)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제23권 제3호
발행연도
2022.6
수록면
318 - 325 (8page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-022-00394-9

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The purity level of 3C-SiC (β phase) powder is an important factor for its use as a raw material for fabricating high-quality single crystals. Herein, we used micro-Raman spectroscopy to systematically investigate the purity of 3C-SiC powders subjected to three diff erent purification treatments. The transverse optical (TO; 795 cm ?1 ) and longitudinal optical (LO; 970 cm ?1 ) phonon modes of 3C-SiC were measured, and the peak intensity ratio (TO/LO) showed good correlation with the purity. The highly purified 3C-SiC had a TO/LO value of 1.0 at a narrow full width half maximum of the LO peak. Furthermore, the pristine 3C-SiC powder exhibited Raman peaks corresponding to the D and G bands, indicating carbon bonding by graphite impurities. Thus, we demonstrated that the proposed micro-Raman spectroscopy is an eff ective analysis technique for characterizing the crystal quality and purity level of 3C-SiC powders.

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