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본 연구는 SiC 결정 성장을 위한 원료 분말 합성법에 관한 것이다. ${\beta}-SiC$ 분말들은 높은 온도 조건(>$1400^{\circ}C$)에서 실리콘 분말과 탄소 분말의 반응에 의해서 합성 된다. 이 반응은 진공 상태(또는 Ar 가스 분위기)에서 실리콘+탄소 혼합물이 반응하고 다결정의 SiC 분말을 형성하기 충분한 횟수를 거쳐 그라파이트 도가니 안에서 진행된다. 최종 결과물의 특성들은 X-ray 회절, SEM/EDS, 입도 분석 및 ICP-OES을 통해 분석되었다. 또한, 최종 결과물의 순도는 the Korean Standard KS L 1612에 의거해서 분석했다.
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Wang, H. / 2012 / Synthesis of Source Powder for SiC Crystal Growth Using High Purity Silicon and Carbon Powder / Advanced Materials Research 529:64~68
Sakwe, S. A. / 2008 / Bulk Growth of SiC-Review on Advances of SiC Vapor Growth for Improved Doping and Systematic Study on Dislocation Evolution / Phys. Status. Solidi. B 245:1239~1256
Barrett, D. L. / 2009 / Method for Synthesizing Ultrahigh-purity Silicon Carbide / PCT/US2006/046673
Yang, Y. / 2009 / Synthesis of SiC by silicon and carbon combustion in air / J. Eur. Ceram. Soc. 29:175~180
Kwon, W. T. / 2014 / Effect of Silicon Particle Size on Synthesis and Crystallinity of β-Silicon Carbide Particles / Defect and Diffusion Forum 353:239~243
Sakwe, S. A. / 2008 / Bulk Growth of SiC-Review on Advances of SiC Vapor Growth for Improved Doping and Systematic Study on Dislocation Evolution / Phys. Status. Solidi. B 245:1239~1256
Barrett, D. L. / 2009 / Method for Synthesizing Ultrahigh-purity Silicon Carbide / PCT/US2006/046673
Yang, Y. / 2009 / Synthesis of SiC by silicon and carbon combustion in air / J. Eur. Ceram. Soc. 29:175~180
Kwon, W. T. / 2014 / Effect of Silicon Particle Size on Synthesis and Crystallinity of β-Silicon Carbide Particles / Defect and Diffusion Forum 353:239~243
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