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백민석 (충남대학교) 임정택 (충남대학교) 이재은 (충남대학교) 송재혁 (충남대학교) 손정택 (충남대학교) 김준형 (충남대학교) 이은규 (충남대학교) 문성모 (한국전자통신연구원) 장동필 (한국전자통신연구원) 김철영 (충남대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제33권 제11호(통권 제306호)
발행연도
2022.11
수록면
893 - 896 (4page)

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본 논문은 65 ㎚ bulk CMOS 공정을 이용한 K-band 저잡음 증폭기 설계에 관한 내용이다. 설계된 저잡음 증폭기에서는 너비가 큰 트랜지스터를 사용하여 손실이 큰 게이트 직렬 인덕터의 크기를 줄임으로써 낮은 잡음지수와 높은 이득을 얻도록 설계하였다. 또한, 입력단에 소스 축퇴 인덕터와 병렬 인덕터를 사용하여 잡음 정합과 입력 정합을 동시에 할 수 있도록 설계하였다. 설계된 저잡음 증폭기는 17∼23 ㎓ 대역에서 19.5 ㏈의 피크 이득과 2.31 ㏈의 최소 잡음지수를 달성하였고, 반사 손실은 10 ㏈ 이상이며, RF 및 DC 패드를 포함하여 0.67 ×0.39 ㎟의 크기를 가진다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 저잡음 증폭기 설계
Ⅲ. 설계 결과
Ⅳ. 결론
References

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