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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.8
- 수록면
- 115 - 124 (10page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2022.59.8.115
이용수
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Work function variation (WFV), Random dopant fluctuation (RDF) 현상은 FinFET에서 발생하는 Process-induced variation 현상의 주요 원인이다. 본 연구에서는 5nm 노드 FinFET에서 WFV/RDF가 유도하는 전기적 소자 특성의 변동 예측을 위해 Artificial neural network (ANN) 모델을 사용한 발전된 방법을 제안한다. 본 논문에서의 ANN 모델은 4개의 input feature [i.e., Average grain size(AGS), Source/Drain doping density(S/D doping), Retrograde channel doping concentration(RCD doping), Retrograde channel doping peak point(RCD Peak)]를 사용해서 소자 성능을 나타내는 7개 output feature [i.e., off-state leakage current(I<SUB>off</SUB>), saturation drain current(I<SUB>dsat</SUB>), linear drain current(I<SUB>dlin</SUB>), low drain current(I<SUB>dlo</SUB>), high drain current (I<SUB>dhi</SUB>), saturation threshold voltage(V<SUB>tsat</SUB>) and linear threshold voltage(V<SUB>tlin</SUB>)]를 예측한다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
W.-T. Huang and Y. Li,`”The impact of fin/sidewall/gate line edge roughness on trapezoidal bulk FinFET devices,” in Proc. Int. Conf. Simul. Semiconductor Processes Devices (SISPAD), pp. 281-284, Sep. 2014.
A. Asenov, S. Kaya and A. R. Brown, "Intrinsic parameter fluctuations in decananometer MOSFETs introduced by gate line edge roughness,", IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 50, no. 5, pp. 1254-1260, May 2003.
A. Asenov, "Random dopant induced threshold voltage lowering and fluctuations in ub-0.1 /spl mu/m MOSFET's: A 3-D "atomistic" simulation study," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 45, no. 12, pp. 2505-2513, Dec. 1998.
A. R. Brown, G. Roy and A. Asenov, "Poly-Si-Gate-Related Variability in Decananometer MOSFETs With Conventional Architecture," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 54, no. 11, pp. 3056-3063, Nov. 2007.
D. S. Holmes et al., "IRDS 2018," 2018.
A. Asenov, S. Kaya and A. R. Brown, "Intrinsic parameter fluctuations in decananometer MOSFETs introduced by gate line edge roughness,", IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 50, no. 5, pp. 1254-1260, May 2003.
A. Asenov, "Random dopant induced threshold voltage lowering and fluctuations in ub-0.1 /spl mu/m MOSFET's: A 3-D "atomistic" simulation study," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 45, no. 12, pp. 2505-2513, Dec. 1998.
A. R. Brown, G. Roy and A. Asenov, "Poly-Si-Gate-Related Variability in Decananometer MOSFETs With Conventional Architecture," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 54, no. 11, pp. 3056-3063, Nov. 2007.
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