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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이민형 (한국생산기술연구원)
저널정보
대한금속·재료학회 Metals and Materials International Metals and Materials International Vol.21 No.4
발행연도
2015.1
수록면
775 - 779 (5page)

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A seed step-coverage enhancement process (SSEP) was investigated in order to improve the poor stepcoverage of the Cu seed layer when it is deposited by physical vapor deposition with a high-aspect-ratio through-silicon via (TSV) to inhibit void generation during a subsequent electroplating TSV gap-fill process. The SSEP was performed by means of electroplating after the deposition of the Cu seed layer in TSV using an alkaline pyrophosphate solution, which is effective when used to prevent the dissolution of the Cu seed layer. The molar ratio of pyrophosphate ions to Cu ions in the plating solution and the current density were optimized for the SSEP by considering the surface uniformity of the electroplated Cu film through electroplating on the defective seed layer. In order to improve the wettability of the pyrophosphate solution in the TSV pattern, polyethylene glycol p-(1,1,3,3-tetramethylbutyl)-phenyl ether was added to the solution. Finally, we significantly strengthened the seed step-coverage at the bottom-corner of the TSV, the weakest point in terms of seed step-coverage, and achieved a void-free filling of the TSV in the subsequent TSV gap-fill process.

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T. Jiang / 2008 / 10th Electronics Packaging Technology Conference :303 google schola M. Sunohara / 2008 / 58th Electronic Components and Technology Conference :847 google schola 홍성철 / 2013 / High Speed Cu-Ni Filling into TSV for 3-Dimensional Si Chip Stacking / Metals and Materials International 19(1):123~128 google schola 노명훈 / 2014 / 열충격에 의한 3차원 패키징용 TSV의 Cu 돌출 거동 / 대한금속·재료학회지 52(6):459~465 google schola R. Beica / 2008 / 58th Electronic Components and Technology Conference :577 google schola

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