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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.1
- 수록면
- 784 - 792 (9page)
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In this letter, a standard deviation based optimization technique has been applied on High Resolution X-ray Diff raction symmetricand asymmetric scan results to accurately determine the Aluminum molar fraction and lattice relaxation of MolecularBeam Epitaxy grown compositionally graded Aluminum Gallium Nitride (AlGaN)/Aluminum Nitride/Gallium Nitride(GaN) heterostructures. Mathews–Blakeslee critical thickness model has been applied in an alternative way to determinethe partially relaxed AlGaN epilayer thicknesses. The coupling coeffi cient determination has been presented in a diff erentperspective involving sample tilt method by off set between the asymmetric planes of GaN and AlGaN. Sample tilt is furtherincreased to determine mosaic tilt ranging between 0.01° and 0.1°.
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