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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.20 No.2
- 발행연도
- 2020.4
- 수록면
- 141 - 144 (4page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2020.20.2.141
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In this study, we developed filter-free AlGaN based PIN photodiodes for partial discharge detection that can detect ultraviolet emission with a wavelength between 230 nm and 270 nm. The PIN epitaxial structure consisted of a p-Al<SUB>0.6</SUB>Ga<SUB>0.4</SUB>N/i- Al<SUB>0.46</SUB>Ga<SUB>0.54</SUB>N/n-Al<SUB>0.6</SUB>Ga<SUB>0.4</SUB>N heterostructure with p-GaN/p-AlGaN grading layers on top for improved ohmic contact formation. The fabricated photodiode exhibited highly selective photoresponse characteristics from 230 nm to 270 nm without an external filter. A peak photoresponsivity of 125 mA/W and quantum efficiency of 60% were achieved at 245 nm for a photodiode with a window diameter of 250 μm under zero bias condition where the dark current was only 1.3 × 10<SUB>-8</SUB> A/cm². The proposed AlGaN PIN photodiode has the advantages of zero standby power and no need for an external filter.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTS AND DISCUSSION
III. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (17)
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Ajayi J. O, Awodugba A. O, Ibiyemi A. A, Relationship between the optical band gap and mole fraction of dome synthetic ternary heterostructures systems, IJSRM, 7, pp. 248-252, 2014.
J. Qu, J. Li, and G. Zhang, AlGaNGaN heterostructure grown by metalorganic vapor phase epitaxy, Solid State Commun, 107, p. 467, 1998.
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T. Kashima, R. Nakamura, M. Iwaya, H. Katoh, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki, Microscopic Investigation of Al0.43Ga0.57N on Sapphire, Jpn. J. Appl. Phys., 38, L1515, 1999.
D. J. H. Lambert, M. M. Wong, U. Chowdhury, C. Collins, T. Li, H. K. Kwon, B. S. Shelton, T. G. Zhu, J. C. Campbell, and R. D. Dupuis, Back illuminated AlGaN solar-blind photodetectors, Appl. Phys. Lett., 77, p. 1900, 2000.
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