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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.1
- 수록면
- 365 - 370 (6page)
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One diode-one resistor (1D1R) memory array consisting of Pt/TaOx/Al memory element and GaAs selection diode was firstlydemonstrated. The resistive switching behavior of the memorydevices with variety of active areas from 5 μm to 50 μm has beeninvestigated. It was found that the forming voltage decreases with thememory element being scaled and the voltage value was in a range of3 - 11.5 V. The reset current was in range of 3.6 - 11 mA range. Theresistance ratio between the high-resistance state (HRS) and lowresistancestate (LRS) fluctuates between 102- 106. The data retentionperformance in 1×105 s was evaluated for maintaining resistanceratio between HRS and LRS. For a 10% readout margin in an N × Ncrossbar array, the maximum array size for the 1D1R with diameterof 5 μm in each single cell was estimated to ~4.5 × 103 and it couldbe further expanded with improved forward-to-reverse resistanceratio (RLRS_R/RLRS_F).
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