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Hojeong Ryu (Dongguk University) Sungjun Kim (Dongguk University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2021년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2021.6
수록면
444 - 446 (3page)

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TaO<sub>x</sub>/HfO<sub>2</sub> bi-layer structured memristor was fabricated. During the forming and set processes, switching of the memristor device can be divided into three types by compliance current and cycling control. We proposed pseudo interface-type switching, and obtained excellent retention, decent endurance, and a variety of conductance level ... 전체 초록 보기

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