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저자정보
Mohammd Bagher Tavakoli (Islamic Azad University) Mohsen Naeimi (Islamic Azad University) Reza Sabbaghi-Nadooshan (Islamic Azad University)
저널정보
국제구조공학회 Smart Structures and Systems, An International Journal Smart Structures and Systems, An International Journal Vol.27 No.6
발행연도
2021.1
수록면
983 - 990 (8page)

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Power consumption has become the key constraint in electronics design, since the MOSFET threshold and hence the supply voltage can no longer be scaled. This trend calls for new device concepts such as Spintronic devices that are fundamentally different from CMOS. A carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET) refers to a field-effect transistor that utilizes a single carbon nanotube or an array of carbon nanotubes as the channel material instead of bulk silicon in the traditional MOSFET structure. Magnetic tunnel junction (MTJ) is an emerging technology which has many advantages when used in logic in memory structures in conjunction with CMOS. In this paper, we present novel designs of hybrid CNTFET-MTJ circuits; AND, XOR and 1-bit full adder. The proposed CNTFET-MTJ full adder design has 20 times lower Power-delay-product (PDP) compared to the previous CMOS- MTJ full adder. Also, the delay in CNTFET-MTJ circuit is reduced 20 times compared to the CMOS- MTJ circuit.

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