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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제22권 제2호
- 발행연도
- 2021.1
- 수록면
- 128 - 132 (5page)
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In this study we report chip fabrication process that allows the laser lift-off of the sapphire substrate for the transfer of the GaN based thin film flip chip to the carrier wafer. The fabrication process includes 365-nm ultraviolet flip chip LED wafer align bonding with through-AlN-via wafer and sapphire laser lift-off . n-holes with the diameter of 100 μm were etched on the GaN epilayers for accessing n-type GaN. Through-AlN-via size was 110-μm and filled by Cu electroplating method for the electrical connection. Mechanical stabilization to prevent the GaN epilayers cracking and fragmentation during laser lift-off was achieved by utilizing epoxy based SU-8 photoresist support.
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