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저자정보
강인호 (한국전기연구원) 석오균 (Korea Electrotechnology Research Institute) 문정현 (한국전기연구원) 나문경 (한국전기연구원) 김형우 (한국전기연구원) 김상철 (한국전기연구원) 방욱 (한국전기연구원) 김남균 (한국전기연구원)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제22권 제2호
발행연도
2021.1
수록면
115 - 120 (6page)

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This paper presents an overall optimization procedure and the electrical performances of 1.2 kV/10 A 4H-SiC junction barrier Schottky (JBS) diodes with high current density. To achieve high current density, the epi-layer, the design parameters for active region including p-grid width and cell pitch, and the fi eld limiting ring for edge termination were optimized with analytic calculation to estimate forward electrical performances and with Silvaco atlas™ simulator to estimate reverse electrical performances. Based on the systematic design, the JBS diodes were fabricated and electrically characterized. The experimental results showed that the breakdown voltage (BV) of JBS diode was signifi cantly sensitive to fi eld limiting ring (FLR) space and that the JBS diode with the ratio of pure Schottky contact area to total active area of 0.75 and the FLR space of 1.25 μm had optimum electrical performances such as a forward current density of 370 A/cm 2 , a reverse leakage current below 20 μA at the reverse anode voltage of 1.2 kV, and the BV of 1400 V. These were in coincidence with the simulation results within 10% error.
#4H-SiC #Junction barrier schottky diode #High current density #Design optimization

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B. Moxey / Bodo’s power syst google schola J. Yamada / 2017 / Bodo’s power systems google schola T. Kimoto / 2014 / Fundamentals of Silicon Carbide Technology / John Wiley & Sons Singapore Pte. Ltd :10 google schola F. Dahlquist / 2001 / Mater. Sci. Forum 353?356:683 google schola B. Jayant Baliga / 1996 / Power semiconductor devices / PWS Publishing Company :66 google schola

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