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서동현 (한국세라믹기술원 에너지환경본부) 김용현 (한국세라믹기술원 에너지환경본부) 신윤지 (한국세라믹기술원) 이명현 (한국세라믹기술원) 정성민 (한국세라믹기술원) 배시영 (한국세라믹기술원)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제33권 제5호
발행연도
2020.1
수록면
427 - 431 (5page)

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본 논문에서는 미스트 화학기상증착법으로 성장된 다결정 산화갈륨 박막을 이용한 소자의 전기적 특성을 분석하였다. 산화갈륨 채널 두께가 300-800 nm 수준으로 증착된 박막에 대하여 바닥 게이트형(Bottom gate) MOSFET 소자를 제작하였다. XRD 분석 결과 산화갈륨은 베타 상이 성장되었음을 확인하였으며, 열처리를 통해 상의 안정성을 더욱 향상 시켰다. Ti/Al 금속층을 드레인과 소스층의 금속 전극으로 사용하였다. 최대 드레인 전류값은 20 V 드레인 전압에서 1 mA가 넘는 수준의 값을 보였다. 베타 산화갈륨의 전자 이동도는 최대 트랜스컨덕턴스로 부터 ~1.39 cm2/V·s의 값을 보였다. 따라서, 이러한 MOSFET의 드레인 전류-게이트 전압 분석을 통해, 미스트 화학기상증착법에 의해 성장된 산화갈륨 박막의 소자 특성을 파악할 수 있음을 확인하였다.

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