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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.1
- 수록면
- 220 - 225 (6page)
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반응부, 이송부, 포집부로 이루어진 기상합성장치를 구축하여 Oxide TFT의 대표적인 물질인 IGZO 반도체용 타겟의 기초 소재인 산화갈륨 나노분말을 기상합성법으로 제조하였다. 반응부에서 갈륨 금속을 증발시켜 1150oC 이상의 온도에서 산화갈륨 나노분말이 만들어지는 것을 확인하였다. 갈륨 금속은 증발 즉시 반응부에서 산화갈륨 나노분말로 합성되었으며, 반응부의 온도가 증가함에 따라 높은 결정도와 큰 입자 크기를 보였다. 또한, 합성된 산화갈륨 나노분말은 구형의 모양을 가지면서 매우 낮은 응집성을 가졌다. 기상합성법으로 얻은 산화갈륨 나노분말을 상용 산화인듐, 산화아연 분말(몰비 = 1 : 1 : 1)과 혼합하여 소결을 시행한 결과, 소결온도 1450oC에서 5.83 g/cm3의 최대밀도를 얻어 같은 조건하에서 상용 산화갈륨 분말을 이용해 만든 IGZO 소결체(5.61 g/cm3)보다 높은 밀도를 얻음을 볼 수 있었다.
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참고문헌 (18)
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E. Fortunato / 2014 / Oxide semiconductor thin-film transistors : a review of recent advances / Adv. Mater 24:2945
T. Kamiya / 2010 / Present status of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors / Sci. Technol. Adv. Mater 11:044305
A. Suresh / 2008 / Transparent, high mobility of InGaZnO thin films deposited by PLD / Thin Solid Films 516:1326
H. Hosono / 2006 / Ionic amorphous oxide semiconductors : Material design, carrier transport, and device application / J. Non-Cryst. Solids 352:851
K. Nomura / 2004 / Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors / Nature 432:488
T. Kamiya / 2010 / Present status of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors / Sci. Technol. Adv. Mater 11:044305
A. Suresh / 2008 / Transparent, high mobility of InGaZnO thin films deposited by PLD / Thin Solid Films 516:1326
H. Hosono / 2006 / Ionic amorphous oxide semiconductors : Material design, carrier transport, and device application / J. Non-Cryst. Solids 352:851
K. Nomura / 2004 / Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors / Nature 432:488
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