다결정 산화갈륨/다이아몬드 이종 박막 성장 및 열처리 효과 연구

서지연; 김태규; 신윤지; 정성민; 배시영

doi:10.6111/JKCGCT.2021.31.6.223

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자료유형: 학술저널

저자정보: 서지연 (한국세라믹기술원) 김태규 (부산대학교) 신윤지 (한국세라믹기술원) 정성민 (한국세라믹기술원) 배시영 (한국세라믹기술원)

저널정보: 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제31권 제6호

발행연도: 2021.12

수록면: 233 - 239 (7page)

DOI: 10.6111/JKCGCT.2021.31.6.223

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본 연구에서는 산화갈륨의 방열 특성 향상을 위해 산화갈륨/다이아몬드 이종 박막 성장을 진행하였다. 먼저, 핫필라멘트 화학기상증착법을 이용하여 다결정 다이아몬드를 증착시킨 후, 미스트 화학기상증착법을 통해 450~600°C 사이의온도구간에서 산화갈륨 박막을 성장시켰다. 열처리 전후 비교를 통해 500°C에서 산화갈륨/다이아몬드 계면 분리 현상이 발생함을 확인하였다. 이는 비정질과 결정질이 혼재된 산화갈륨 박막이 성장된 후, 냉각 과정에서 열팽창계수의 차이로 인해계면이 분리된 것으로 판단하였다. 따라서, 본 연구를 통한 산화갈륨/다이아몬드 계면의 물리적 안정성을 통해 산화갈륨의 열물성 보완및 고전력 반도체로의 활용이 기대된다.

#Ga2O3 #Diamond #Annealing #Phase transition #Hetero structure

참고문헌 (20)

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J. Y. Tsao / 2018 / Ultrawide-bandgap semiconductors : Research opportunities and challenges / Adv. Electron. Mater 4:1600501

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