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저자정보
하민우 (명지대학교)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2021년도 제52회 대한전기학회 하계학술대회
발행연도
2021.7
수록면
1,407 - 1,408 (2page)

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차세대 전력 소자로 유망한 SiO<SUB>2</SUB>/4H-SiC MOSFET은 우수한 물성을 가지지만 SiO<SUB>2</SUB>/4H-SiC 인터페이스및 그 근처에서 고밀도의 트랩이 존재하기 때문에 게이트 전압의 sweeping 방향에 따라 이력이 발생하므로 문턱전압을 정의하는 기준이 필요하다. SiO<SUB>2</SUB>/4H-SiC MOSFET의 문턱전압을 추출하는 JE ... 전체 초록 보기

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