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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정학기 (군산대학교)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제15권 제7호
발행연도
2011.7
수록면
1,537 - 1,542 (6page)

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본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 채널도핑이 비선형분포를 가질 때 게이트 산화악의 두께를 변화시키면서 문턱전압이하특성을 분석하였다. 이중게이트 MOSFET는 차세대 나노소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행 중에 있다. 이에 이중게이트 MOSFET에서 단채널효과로서 잘 알여진 문턱전압 이하 스윙의 저하에 대하여 비선형도핑분포를 이용한 포아송방정식의 분석학적 모델로 분석하고자 한다. 또한 나 노소자인 이중게이트 MOSFET의 구조적 파라미터 중 가장 중요한 게이트 산화막의 두께에 대하여 문턱전압이하 특성을 분석하였다. 본 논문에서 사용한 분석학적 포아송방정식의 포텐셜모델 및 전송모델의 타당성을 입증하기 위하여 수치해석학적 결과값과 비교하였으며 이 모델을 이용하여 이중게이트MOSFET의 문턱전압이하 스윙을 분석하였다.
#포아송 방정식 #비선형도핑분포 #포텐셜분포 #문턱전압이하 #DGMOSFET #Poisson's equation #nonunifom doping distribution #Short Channel Effect #Subthreshold

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 이론적 배경
Ⅲ. 포텐셜분포와 문턱전압이하 스윙
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (8)

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1. [학술지(정기간행물)] - L.Ge / 1993 / Analytical Modeling of Quantization and Volume Inversion in Thin Si-Film DG MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 40 (12) : 2326 ~ google schola 2. [기타자료] - D.S.Havaldar / / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation google schola 3. [학술지(정기간행물)] - J.P.Colinge / 2004 / Multiple-gate SOI MOSFETs / Solid State Electron. 48 (6) : 897 ~ 905 google schola 4. [학술대회논문] - J.G.Fossum / 2003 / Physical insights on design and modeling of nanoscale FinFETs / in IEDM Tech. Dig. : 679 ~ 682 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - H.K.Jung / 2006 / Analysis of Subthreshold Carrier Transport for Ultimate DGMOSFET / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 685 ~ 691 google schola

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