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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 127 - 127 (1page)
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2011년 HfO<SUB>2</SUB> 박막에서 강유전성이 발현됨이 처음 발견된 이후, Si 기반 반도체 기술과의 높은 호환성과 Atomic Layer Deposition(ALD) 공정 적합성을 기반으로 Ferroelectric Random-Access-Memory, Ferroelectric Field-Effect-Transistor, Ferroelectric Tunnel Junction 와 같이 다양한 강유전성 기반 메모리 소자로의 적용이 활발히 연구되고 있다.[1] 소자 신뢰성 문제는 HfO<SUB>2</SUB> 기반 강유전 소자 상용화의 중요한 과제 중 하나로 여겨지며, 신뢰성 확보를 위해 Wake-up effect 등의 문제를 해결하기 위한 노력이 이어지고 있다. Wake-up effect는 제작 직후 강유전성이 최적화되지 못한 초기 샘플이 외부 전계에 의한 반복 스위칭 횟수가 증가하면서 강유전성이 강화되는 현상을 말한다. HfO<SUB>2</SUB> 기반 박막에서 산소 공공의 국부적인 응집으로 인한 박막 내부 전계 생성 및 비강유전성 tetragonal phase의 안정화가 초기 열화된 강유전성 특성을 유도하며 Wake-up effect의 주원인으로 알려져 있다. 산소 공공의 생성은 박막 증착 과정에서 다양한 변수에 의해 영 ... 전체 초록 보기
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