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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김정식 (Gyeongsang National University)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제69권 제10호
발행연도
2020.10
수록면
1,470 - 1,473 (4page)
DOI
10.5370/KIEE.2020.69.10.1470

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The effect of displacement defect due to radiation effect is investigated in laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) using technology computer-aided design (TCAD) simulation. The displacement defect with acceptor-like trap of deep level (Ec-0.4eV) under shallow trench isolation (STI) induces the worst degradation of Id-Vg characteristic. The location of defect under STI with lightly doping concentration is the worst position to transfer characteristic of Id-Vg. For breakdown voltage characteristic, the positions and types of displacement trap are negligible, because of high drain voltage operation.
#Radiation effect #LDMOS #numerical simulation #TCAD simulation

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
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