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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.19 No.5
- 발행연도
- 2019.10
- 수록면
- 454 - 460 (7page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2019.19.5.454
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A silicon-on-insulator (SOI) lateral doublediffused MOSFET (LDMOS) with variable-k dielectric is proposed, which features three-section high-k dielectrics placed over the drift region. Beneficial from the modulation, by high-k dielectrics, on electric fluxes in the drift region, the electric field strength is locally enhanced, and has a more uniform distribution along the surface of the drift region, which an increment of the breakdown voltage (BV) ascribes to. Moreover, due to the electric fluxes prefer to flow towards and through a high-k dielectric, an increase in the dose of the drift region is thus possible to reduce the specific on-resistance (R<SUB>on,sp</SUB>), since the extra electric fluxes caused by those increased impurities would flow, upwards, into the high-k dielectric, and barely make contributions to the xcomponent of the surface electric field, which indicates that the BV would not be affected. Based on a comparison with the conventional LDMOS, the BV of the proposed LDMOS increased by 31% with a decrease of 13% in the R<SUB>on,sp</SUB>. The figure of merit (FOM) increased approximately 2 times.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE STRUCTURE AND MECHANISM
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (16)
참고문헌 신청
D. Disney and Z. J. Shen, “Review of Silicon Power Semiconductor Technologies for Power Supply on Chip and Power Supply in Package Applications,” IEEE Trans. on Power Electron., vol. 28, no. 9, pp. 4168-4181, Sept. 2013. doi: 10.1109/TPEL.2013.2242095.
R. Zhu, V. Khemka, T. Khan, W. Huang, X. Cheng, P. Hui, M. Ger, and P. Rodriquez, “A high voltage super-junction NLDMOS device implemented in 0.13 μm SOI based smart power IC technology,” in Proc. IEEE 22nd Int. Symp. Power Semicond. Devices ICs (ISPSD), Jun. 2010, pp. 79?82.
K. S. Nikhil, N. DasGupta, A. DasGupta and A. Chakravorty, “SOI-LDMOS Transistors With Optimized Partial n+Buried Layer for Improved Performance in Power Amplifier Applications,” IEEE Trans. Electron. Devices, vol. 65, no. 11, pp. 4931-4937, Nov. 2018. doi: 10.1109/TED.2018. 2867656.
A. W. Ludikhuize, A review of RESURF technology, in Proc. IEEE 12th Int. Symp. Power Semicond. Devices ICs (ISPSD), May 2000, pp. 11- 18. doi: 10.1109/ISPSD.2000.856763.
K. Hara, T. Kakegawa, S. Wada, T. Utsumi and T. Oda, “Low on-resistance high voltage thin layer SOI LDMOS transistors with stepped field plates,” in Proc. IEEE 29th Int. Symp. Power Semicond. Devices ICs (ISPSD), May 2017, pp. 307-310. doi: 10.23919/ISPSD.2017.7988965.
R. Zhu, V. Khemka, T. Khan, W. Huang, X. Cheng, P. Hui, M. Ger, and P. Rodriquez, “A high voltage super-junction NLDMOS device implemented in 0.13 μm SOI based smart power IC technology,” in Proc. IEEE 22nd Int. Symp. Power Semicond. Devices ICs (ISPSD), Jun. 2010, pp. 79?82.
K. S. Nikhil, N. DasGupta, A. DasGupta and A. Chakravorty, “SOI-LDMOS Transistors With Optimized Partial n+Buried Layer for Improved Performance in Power Amplifier Applications,” IEEE Trans. Electron. Devices, vol. 65, no. 11, pp. 4931-4937, Nov. 2018. doi: 10.1109/TED.2018. 2867656.
A. W. Ludikhuize, A review of RESURF technology, in Proc. IEEE 12th Int. Symp. Power Semicond. Devices ICs (ISPSD), May 2000, pp. 11- 18. doi: 10.1109/ISPSD.2000.856763.
K. Hara, T. Kakegawa, S. Wada, T. Utsumi and T. Oda, “Low on-resistance high voltage thin layer SOI LDMOS transistors with stepped field plates,” in Proc. IEEE 29th Int. Symp. Power Semicond. Devices ICs (ISPSD), May 2017, pp. 307-310. doi: 10.23919/ISPSD.2017.7988965.
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